💥 Gate廣場活動: #ART创作大赛# 💥
在 Gate廣場發布與 ART、Launchpool、交易賽或餘幣寶活動 相關的原創內容,即有機會瓜分 1,600 ART 獎勵!
📅 活動時間:2025年9月12日 12:00 – 9月17日 24:00 (UTC+8)
📌 相關詳情:
Gate Launchpool:抵押 GT 領取 ART 空投
連結:https://www.gate.com/announcements/article/46996
ART 交易賽:分享總獎池 208,334 ART
連結:https://www.gate.com/announcements/article/47047
Gate 餘幣寶:ART 7天定期投資,年化收益高達 500% APR
連結:https://www.gate.com/announcements/article/47046
📌 參與方式:
發布原創內容,主題需與 ART 或相關活動(Launchpool / 交易賽 / 餘幣寶) 相關
內容不少於 80 字
帖子添加話題: #ART创作大赛#
附上任意活動參與截圖
🏆 獎勵設置:
🥇 一等獎(1名):500 ART
🥈 二等獎(2名):250 ART/人
🥉 三等獎(6名):100 ART/人
📄 注意事項:
內容必須原創,禁止抄襲或刷量
獲獎者需完成 Gate
三星電子NRD-K半導體研發綜合體進機 將導入ASML High NA EUV光刻設備
金十數據11月20日訊,三星電子舉行了位於器興園區的NRD-K新半導體研發綜合體的進機儀式。NRD-K半導體研發綜合體將成為三星電子DS部下屬三大事業部(存儲器、系統LSI和Foundry)的共同核心研發基地,到2030年這一項目將累計獲得約20萬億韓元的投資。NRD-K還將包含一條研發專用線,該產線將於2025年中投入使用。NRD-K綜合體將導入ASML High NA EUV光刻機、新材料沉積設備在內的一系列最先進半導體生產工具,旨在加速3D DRAM、千層V-NAND在內的下代存儲芯片開發。