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🧮 計分規則:
總分 = 發言數 × 1 + 發言天數 × 1 + 互動數 × 1.5
得分 ≥ 100 → 抽取 3 位獲一等獎
得分 ≥ 80 → 抽取 5 位獲二等獎
得分 ≥ 50 → 抽取 10 位獲三等獎
🎁 獎勵內容:
一等獎:Gate VIP 臻享禮盒 + $50 合約體驗券
二等獎:Gate x Red Bull 鴨舌帽 + $40 合約體驗券
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海外用戶:Gate VIP 臻享禮盒 = $50 合約體驗券,Gate x Red Bull 鴨舌帽 = $20 合約體驗券,速乾運動毛巾 = $10 合約體驗券
⚠️ 注意事項:
灌水、抄襲或違規發帖將不計入得分;
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復旦團隊研發超快閃存集成工藝:20納秒超快編程、10年非易失
金十數據8月13日訊,復旦大學周鵬-劉春森團隊前期研究表明二維半導體結構能夠將其速度提升一千倍以上,實現顛覆性的納秒級超快存儲閃存技術。然而,如何實現規模集成、走向真正實際應用仍極具挑戰。同時,研究團隊研發了不依賴先進光刻設備的自對準工藝,結合原始創新的超快存儲疊層電場設計理論,成功實現了溝道長度為8納米的超快閃存器件,是當前國際最短溝道閃存器件,並突破了硅基閃存物理尺寸極限(約15納米)。在原子級薄層溝道支持下,這一超小尺寸器件具備20納秒超快編程、10年非易失、十萬次循環壽命和多態存儲性能。本工作將推動超快顛覆性閃存技術的產業化應用。