Kinerja substrat oksida galium VB 4 inci dari Zhuzhou Smelter Group mencapai tingkat internasional yang canggih

Data Gold 20 Februari, seorang reporter dari Institut Penelitian Mesin Optik Hangzhou Optical Precision mendengar bahwa Hangzhou Optics Institute telah berhasil menemukan terobosan besar di bidang pertumbuhan kristal oksida galium dengan metode Vertical Bridgman (VB) melalui perusahaan inkubator mereka, Hangzhou Fujia Gallium Industry. Hasil uji menunjukkan bahwa kualitas kristal tunggal yang tumbuh dengan perangkat Fujia Gallium Industry mencapai tingkat internasional yang canggih, dan kini perangkat pertumbuhan kristal serta paket teknologi tersebut sedang dijual di pasaran. Hasil uji menunjukkan bahwa kristal VB 4 inci yang tumbuh dengan perangkat Fujia Gallium Industry tidak memiliki twin, dan lebar puncak setengah tinggi (FWHM) substrat kristal tunggal XRD lebih baik dari 50 arcsec, yang setara dengan kualitas substrat kristal tunggal oksida galium yang diproduksi dengan metode modulasi pengendapan, dan kinerjanya mencapai tingkat internasional yang canggih.